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振動樣品磁強計（VSM）

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 熒光光譜（PL）

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 微波網(wǎng)絡(luò)分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）

微波網(wǎng)絡(luò)分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）

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 電化學(xué)分析

電化學(xué)分析

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 超導(dǎo)量子干涉磁測量(SQUID)

超導(dǎo)量子干涉磁測量(SQUID)

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 四探針測試儀

四探針測試儀

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 固體/薄膜表面ZETA電位儀

固體/薄膜表面ZETA電位儀

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平均周期6.6天  |  總體滿意度98.8%

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 霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)

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 電導(dǎo)率

電導(dǎo)率

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 寬頻介電常數(shù)測試儀

寬頻介電常數(shù)測試儀

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 表面光電壓譜儀（SPV）

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 塞貝克系數(shù)與電阻率測試系統(tǒng)

塞貝克系數(shù)與電阻率測試系統(tǒng)

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 鐵電壓電分析儀

鐵電壓電分析儀

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 光催化產(chǎn)氫

光催化產(chǎn)氫

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 橢偏儀

橢偏儀

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 飛秒瞬態(tài)吸收

飛秒瞬態(tài)吸收

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 變溫?zé)晒夤庾V（PL）

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 物性綜合測量系統(tǒng)（PPMS）

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 光催化二氧化碳還原

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 阻抗分析儀

阻抗分析儀

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 多功能缺陷熒光光譜儀

多功能缺陷熒光光譜儀

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 光電轉(zhuǎn)化效率測試（IPCE）

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 D33測試(壓電常數(shù)測試)

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 電阻率測試儀

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 擊穿電壓試驗儀

擊穿電壓試驗儀

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 電池性能測試

電池性能測試

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 殘余應(yīng)力

殘余應(yīng)力

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 半導(dǎo)體光電測試

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 強度調(diào)制光電流譜（IMPS）

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 霧度測試

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 熱刺激電流儀（TSC）

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 掃描電化學(xué)顯微鏡（SECM）

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 固態(tài)電解質(zhì)分析系統(tǒng)

固態(tài)電解質(zhì)分析系統(tǒng)

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 量子效率測試

量子效率測試

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 太陽能電池伏安特性測試儀

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 聲學(xué)性能測試系統(tǒng)（阻抗管）

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 輻照測試（鈷60）

輻照測試（鈷60）

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 微波暗室遠場測試系統(tǒng)

微波暗室遠場測試系統(tǒng)

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 磁致伸縮系數(shù)測量系統(tǒng)

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 OLED光電測試系統(tǒng)

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 拉伸電阻測試儀

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 矯頑磁力自動測量儀

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 飛灰比電阻測定儀

飛灰比電阻測定儀

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 微波暗室拱形架測試系統(tǒng)

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 微波諧振腔

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 強度調(diào)制光電壓譜（IMVS）

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 顯微應(yīng)變測試

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 自由曲面光學(xué)面形測試儀（NMF600S）

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 平面近場測試系統(tǒng)

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 光學(xué)應(yīng)變測試系統(tǒng)

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 BH LOOP分析儀

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常見問題

Q&A

Q：到底是發(fā)論文還是申請專利？
A：論文和專利都是技術(shù)的載體，論文審稿側(cè)重考察數(shù)據(jù)是否可靠、結(jié)論是否準(zhǔn)確，發(fā)明專利會經(jīng)過新穎性或創(chuàng)造性的審查，授權(quán)后獲得獨占權(quán)而受到法律保護，自己在先公開的論文會導(dǎo)致在后申請的專利失去新穎性或創(chuàng)造性，對于同一方案務(wù)必先申請專利再發(fā)表論文。
Q：專利申請為什么要趁早？
A：1.要防止創(chuàng)意或產(chǎn)品推出前被模仿。2.相關(guān)技術(shù)更新迭代、層出不窮，慢一步就會導(dǎo)致他人先公開自己的創(chuàng)意而無法獲得專利權(quán)。3.專利可以在升學(xué)評獎、職稱考核、高企認定等過程中添加砝碼，競爭激烈，提早準(zhǔn)備更容易命中目標(biāo)。
Q：哪些不能申請專利？
A：1. 科學(xué)發(fā)現(xiàn);3. 疾病的診斷和治療方法;4. 動物和植物品種;5. 用原子核變換方法獲得的物質(zhì);6. 對平面印刷品的圖案、色彩或者二者的結(jié)合作出的主要起標(biāo)識作用的設(shè)計。
Q：發(fā)明和實用新型有何區(qū)別？
A：1.保護客體不同，發(fā)明專利保護產(chǎn)品、方法或者改進所提出的新的技術(shù)方案，實用新型專利只保護產(chǎn)品的形狀、構(gòu)造或者其結(jié)合所提出的適于實用的新的技術(shù)方案。2.審批程序不同，發(fā)明專利需要經(jīng)過實質(zhì)審查以確定滿足新穎性、創(chuàng)造性和實用性，審查時間更長，實用新型不需要經(jīng)過實質(zhì)審查，創(chuàng)造性和技術(shù)水平較發(fā)明專利低，但實用價值大。3.保護期限不同，發(fā)明專利權(quán)的期限為二十年，實用新型專利權(quán)的期限為十年，外觀設(shè)計專利權(quán)的期限為十五年，均自申請日起計算。
Q：什么是技術(shù)交底書？
A：技術(shù)交底書是發(fā)明人和代理師溝通的基礎(chǔ)，應(yīng)當(dāng)涵蓋現(xiàn)有技術(shù)的問題是什么，發(fā)明人提出了什么樣的解決方案，達到了何種效果，以及希望保護的核心技術(shù)要點是什么，應(yīng)當(dāng)盡可能記錄技術(shù)內(nèi)容，充分描述技術(shù)細節(jié)，提供有力的證明材料，如此才能撰寫更高質(zhì)量的專利。
Q：如何才能更快獲得發(fā)明專利授權(quán)？
A：1.優(yōu)先審查，涉及特定的高端制造、節(jié)能環(huán)保、新材料、新能源等特殊領(lǐng)域，可以申請優(yōu)先審查，最快可在6-8個月獲得發(fā)明專利授權(quán)。2.通過保護中心的預(yù)審加快審查，進入快速審查通道，可進一步壓縮授權(quán)時間。
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